產(chǎn)品名稱 恒溫恒濕試驗箱 冷熱沖擊試驗機 高頻振動試驗臺 加速度沖擊實驗 氙燈老化試驗箱 PCT老化試驗機 | 內(nèi)箱尺寸 40*50*40cm 50*60*50cm 60*75*50cm 60*85*80cm 100*100*80cm 即可按客戶要求訂制 | 性能溫/濕度范圍 〖溫度〗-40~+150度 〖濕度〗20%~98%RH 〖溫度波動度〗±0.5度 〖濕度波動度〗±1%RH 〖升溫時間〗-40~+150度小于70分鐘 〖降溫時間〗+20~-40度小于60分鐘; |
以上系列產(chǎn)品為人工模擬海洋性氣候的鹽霧腐蝕試驗設(shè)備，可對電工設(shè)備、金屬材料、制品各種材質(zhì)之表面，經(jīng)油漆、涂料、電鍍、無機及有機皮膜、極處理、防銹油等防蝕處理后，測試其制品耐腐蝕性。進(jìn)行加速腐蝕性能變化試驗。也是人工氣侯環(huán)境“三防”（濕熱、鹽霧、霉菌）試驗設(shè)備之一，是研究機械、國防工業(yè)、輕工電子、儀器儀表、五金、電鍍、電子、化工、汽車、航天、通訊等行業(yè)等行業(yè)各種環(huán)境適應(yīng)和可靠性的一種重要試驗設(shè)備,同時也可做醋酸銅試驗.。以便對試品在特定的環(huán)境條件下的性能作出分析及評價。
電子、電工針對步入式高低溫實驗室、振動標(biāo)準(zhǔn)參考：
一、GB/T2423有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成：
一、GB/T2423有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成：
1GB/T2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗A:低溫
2GB/T2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗B:高溫
3GB/T2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Ca:恒定濕熱試驗方法
4GB/T2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Db:交變濕熱試驗方法
5GB/T2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗二部分：試驗方法試驗Ea和導(dǎo)則:沖擊
6GB/T2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗二部分:試驗方法試驗Eb和導(dǎo)則：碰撞
7GB/T2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗二部分:試驗方法試驗Ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒（主要用于設(shè)備型樣品）
8GB/T2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗二部分:試驗方法試驗Ed:自由跌落
9GB/T2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Cb:設(shè)備用恒定濕熱
10GB/T2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗二部分:試驗方法試驗Fc和導(dǎo)則:振動（正弦）
11GB/T2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Fd:寬頻帶隨機振動--一般要求
12GB/T2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Fda:寬頻帶隨機振動--高再現(xiàn)性
13GB/T2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Fdb:寬頻帶隨機振動中再現(xiàn)性
14GB/T2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Fdc:寬頻帶隨機振動低再現(xiàn)性
15GB/T2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗二部分:試驗方法試驗Ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度
16GB/T2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗J和導(dǎo)則:長霉
17GB/T2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Ka:鹽霧試驗方法
18GB/T2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗二部分:試驗--試驗Kb:鹽霧,交變（氯化鈉溶液）
19GB/T2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kc:接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法
20GB/T2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kd:接觸點和連接件的硫化氫試驗方法
21GB/T2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗M:低氣壓試驗方法
22GB/T2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗N:溫度變化
23GB/T2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗試驗Q:密封
24GB/T2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗二部分:試驗方法試驗Sa:模擬地面上的太陽輻射
25GB/T2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/AM:低溫／低氣壓綜合試驗
26GB/T2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/BM:高溫／低氣壓綜合試驗
27GB/T2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗方法
28GB/T2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗T:錫焊試驗方法
29GB/T2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗U:引出端及整體安裝件強度
30GB/T2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
31GB/T2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程傾斜和搖擺試驗方法
32GB/T2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗方法
33GB/T2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kca:高濃度二氧化硫試驗方法
34GB/T2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/AD:溫度/濕度組合循環(huán)試驗方法
35GB/T2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/AFc:散熱和非散熱試驗樣品的低溫/振動（正弦）綜合試驗方法
36GB/T2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/BFc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動（正弦）綜合試驗方法
37GB/T2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗L:砂塵試驗方法
38GB/T2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗R:水試驗方法
39GB/T2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Ee:彈跳試驗方法
40GB/T2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
41GB/T2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程風(fēng)壓試驗方法
42GB/T2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗低溫/低氣壓/振動（正弦）綜合試驗方法
43GB/T2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗二部分:試驗方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊（Ea）、碰撞（Eb）、振動（Fc和Fb）和穩(wěn)態(tài)加速度（Ca）等動力學(xué)試驗中的安裝要求和導(dǎo)則
44GB/T2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗二部分:試驗方法試驗Eg:撞擊彈簧錘
45GB/T2423.45-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分：試驗方法試驗Z/ABDM：氣候順序
46GB/T2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分：試驗方法試驗Ef：撞擊擺錘
47GB/T2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Fg:聲振
48GB/T2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Ff:振動--時間歷程法
49GB/T2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Fe:振動--正弦拍頻法
50GB/T2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗
51GB/T2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分:試驗方法試驗Ke:流動混合氣體腐蝕試驗
二、GB2421-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程總則
三、GB/T2422-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗術(shù)語
四、GB2424
1.GB2424.1-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程高溫低溫試驗導(dǎo)則
2.GB/T2424.2-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程濕熱試驗導(dǎo)則
3.GB/T2424.9-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程長霉試驗導(dǎo)則
4.GB/T2424.10-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程大氣腐蝕加速試驗的通用導(dǎo)則
5.GB/T2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程接觸點和鏈接件的二氧化硫試驗導(dǎo)則
6.GB/T2424.12-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程接觸點和連接件的硫化氫試驗導(dǎo)則
7.GB/T2424.13-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程溫度變化試驗導(dǎo)則
8.GB/T2424.14-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程2部分：試驗方法太陽輻射試驗導(dǎo)則
9.GB/T2424.15-92電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程溫度/低氣壓綜合試驗導(dǎo)則
10.GB/T2424.17-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程錫焊試驗導(dǎo)則
11.GB/T2424.18-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程在清洗濟中浸漬試驗導(dǎo)則
12.GB/T2424.19-84電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程模擬儲存影響的環(huán)境試驗導(dǎo)則
13.GB/T2424.20-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程傾斜和搖擺試驗導(dǎo)則
14.GB/T2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗導(dǎo)則
15.GB/T2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程溫度（低溫、高溫）和振動（正弦）綜合試驗導(dǎo)則
16.GB/T2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程水試驗導(dǎo)則
17.GB/T2424.24-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動（正弦）綜合試驗導(dǎo)則
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